Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP954H6327XTSA1
AF TRANSISTORS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP954
BDP954H6327XTSA1 Hakkında
BDP954H6327XTSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT). TO-261-4 surface mount paketinde sunulan bu komponent, audiofrekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. Maksimum 3A collector akımı, 100MHz transition frequency ve 5W güç derecelendirmesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı (2A, 200mA koşullarında) ile güvenilir çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC current gain minimum 85 (500mA, 1V koşullarında) değerine sahiptir. Kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon yapılarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok