Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP953H6327XTSA1
TRANS NPN 100V 3A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP953
BDP953H6327XTSA1 Hakkında
BDP953H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V maksimum Vce derecelendirmesi ve 3A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. SOT223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 500mV maksimum doyma voltajı ve 100MHz geçiş frekansı özellikleri ile düşük seviyeli sinyaller için uygun sürücü uygulamalarında kullanılmaktadır. 5W maksimum güç derecelendirmesi ve 150°C çalışma sıcaklığı, endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanım sağlamaktadır. Bileşen yeni tasarımlar için artık tercih edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok