Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP950H6327XTSA1
TRANS PNP 60V 3A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP950
BDP950H6327XTSA1 Hakkında
BDP950H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöre (BJT) sahip yüksek akım kapasiteli bir transistördür. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60V kollektör-emitör gerilimi ve 3A kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency değerine sahip olan transistör, 5W güç taşıyabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Vce saturation voltajı 500mV (2A/200mA'de) olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ses amplifikasyon devrelerinde kullanılır. TO-261-4 paket yapısı kompakt tasarımlara uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok