Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP950E6327HTSA1
TRANS PNP 60V 3A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP950
BDP950E6327HTSA1 Hakkında
BDP950E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. Maksimum 60V kolektör-emitter gerilimi ve 3A kolektör akımı ile tasarlanmış olan bu transistör, 5W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 100MHz geçiş frekansı ve 85 minimum DC akım kazancı (hFE) değerleri ile, orta güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Doyum gerilimi (Vce sat) 500mV olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde etkin bir şekilde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve sesli amplifikatörlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok