Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP949H6327XTSA1
TRANS NPN 60V 3A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP949
BDP949H6327XTSA1 Hakkında
BDP949H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3A maksimum kolektör akımı ve 5W güç derecelendirmesi ile, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde görev yapar. 100MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montaj paketi, kompakt PCB tasarımları için idealdir. 500mV doyum gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok