Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BDP949E6327HTSA1
TRANS NPN 60V 3A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BDP949
BDP949E6327HTSA1 Hakkında
BDP949E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 60V maksimum Vce ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile sahiptir. 5W maksimum güç kapasitesi ile motor sürücüleri, aydınlatma kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. İşletim sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Düşük 500mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok