Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BDC01DRL1G

TRANS NPN 100V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BDC01

BDC01DRL1G Hakkında

BDC01DRL1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen maksimum 500mA kolektör akımı ve 100V Vce(br) darbesel voltajı ile çalışabilmektedir. 50MHz geçiş frekansı, 1W güç yeteneği ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Kolektör akımında 40 minimum hFE değeri ile güvenilir akım kazancı sağlar. Taşıt, beyaz eşya, ağır endüstri ve ticari ekipman devrelerde sıkça yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok