Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BD809G
TRANS NPN 80V 10A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- BD809
BD809G Hakkında
BD809G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 80V kollektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı ile orta güçlü uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 90W maksimum güç yeteneği ve 1.5MHz transition frekansıyla anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. 1.1V doyum gerilimi ve 15 minimum DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
| Frequency - Transition | 1.5MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 90 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok