Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BD277
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- BD277
BD277 Hakkında
BD277, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial silicon transistöründür. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, maksimum 7A collector akımı ve 70W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 10MHz transition frequency'ye sahiptir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. DC current gain (hFE) 1.75A ve 2V koşullarında minimum 30 değerini sağlar. Düşük Vce saturation voltajı (500mV @ 100mA, 1.75A) ile verimli anahtarlama performansı sunar. Güç amplifikatörleri, motor sürücüleri, ses amplifikatörleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montaj tipi ile PCB üzerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.75A, 2V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1.75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok