Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BD159G

TRANS NPN 350V 500MA TO225AA

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
BD159

BD159G Hakkında

BD159G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar bağlantı transistörüdür. 350V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç disipasyonu ve 30 minimum DC current gain özelliğine sahiptir. TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında sorunsuz performans gösterir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through hole montajı ile PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Obsolete
Power - Max 20 W
Supplier Device Package TO-126
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok