Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BD13910S

TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
BD13910S

BD13910S Hakkında

BD13910S, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5A maksimum collector akımı ve 1.25W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarı uygulamaları ve genel sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. TO-126-3 (TO-225AA) through-hole paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 63 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtarlama özelliği sunar. ICBO 100nA'da sınırlı sızıntı akımı, termal kararlılığı arttırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Active
Power - Max 1.25 W
Supplier Device Package TO-126-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok