Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX71GE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCX71
BCX71GE6327HTSA1 Hakkında
BCX71GE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. DC current gain (hFE) değeri 120 olup, 250MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Audio amplifikaları, düşük seviye sinyal amplifikasyonu, ön amplifikatör ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük collector cutoff akımı (20nA) ve düşük saturation voltajı (550mV) ile hassas devrelerde kullanım açısından uygun özelliklere sahiptir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok