Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCX70HE6433HTMA1

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCX70HE6433

BCX70HE6433HTMA1 Hakkında

BCX70HE6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. 45V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile orta-düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 180 minimum DC current gain değeri ile iyi akım yükseltme özelliği sunar. SOT-23 yüzeye monte paket ile kompakt devre tasarımları için elverişlidir. Düşük saturasyon gerilimi (550mV) sayesinde güç kaybı minimumda tutulur. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Maksimum güç kaybı 330mW ile sınırlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok