Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX70GE6327HTSA1
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCX70GE
BCX70GE6327HTSA1 Hakkında
BCX70GE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile 100mA maksimum kolektor akımını destekleyen bu komponent, 250MHz transition frequency özelliğine sahiptir. 330mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve minimum 120 DC current gain (hFE) değeri ile röle kontrol, sinyal amplifikasyonu, switching uygulamaları ve genel amaçlı dijital lojik devrelerinde kullanılmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığı desteği, düşük güç uygulamalarında tercih edilen kompakt bir çözüm sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok