Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCX56H6327XTSA1

TRANSISTOR NPN SOT89

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
BCX56H6327

BCX56H6327XTSA1 Hakkında

BCX56H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. Surface mount SOT89 (TO-243AA) paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum kollektor akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 40 minimum DC akım kazancı (150mA, 2V koşullarında) ile moderate hız uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir. 2W maksimum güç kapasitesi ve 500mV saturation voltajı sayesinde güç tüketim kritik olan devrelerde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Audio amplifikatörler, genel anahtarlama devreleri ve düşük-orta güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Not For New Designs
Power - Max 2 W
Supplier Device Package PG-SOT89
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok