Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX5616H6327XTSA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX5616
BCX5616H6327XTSA1 Hakkında
BCX5616H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-243AA (PG-SOT89) surface mount paketinde sunulan bu komponent, düşük seviyeli sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyonu gereken uygulamalarda kullanılır. 1A maksimum kollektor akımı, 100MHz transition frequency ve 80V breakdown voltajı ile genel amaçlı RF ve AF uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç harcama kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş sıcaklık aralığında güvenli işletme sağlar. Vce saturation voltajı 500mV (50mA/500mA koşullarında) olup, anahtarlama devrelerinde düşük kaybı işaret eder. Minimum 100 DC current gain, hassas amplifikasyon gerektiren tasarımlarda kullanılabilirliğini gösterir. Ürün, yeni tasarımlar için tercih edilmeyen eski nesil komponentin olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok