Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX5610H6327XTSA1
TRANSISTOR NPN SOT89
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX5610
BCX5610H6327XTSA1 Hakkında
BCX5610H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup SOT89 (TO-243AA) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1A maksimum kollektör akımı, 80V maksimum collector-emitter voltajı ve 2W güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun olmakla birlikte, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında dayanıklıdır. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı lojik uygulamalarında tercih edilir. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok