Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX5516H6433XTMA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX5516
BCX5516H6433XTMA1 Hakkında
BCX5516H6433XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT89-4 (TO-243AA) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 100MHz transition frekansı, 2W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve RF uygulamalarında yer alabilir. 500mV saturation voltajı ve 100 (min) DC current gain özellikleriyle tasarlanmıştır. Ancak bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok