Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX5416H6327XTSA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX5416
BCX5416H6327XTSA1 Hakkında
BCX5416H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT89-4 (TO-243AA) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı RF ve AF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A collector akımı, 100MHz transition frequency ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç seviyesinde çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 2W güç dağıtabilir. DC current gain (hFE) minimum 100 olup, 150mA collector akımında ve 2V Vce'de ölçülmüştür. Saturation voltajı 500mV'dur. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve yüksek frekanslı uygulamalarda sıklıkla tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok