Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX53H6327XTSA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX53
BCX53H6327XTSA1 Hakkında
BCX53H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-243AA (SOT89-4) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 125MHz transition frequency ve 2W güç yeteneği ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi, 500mV saturation voltajı ve 40 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile cihazlar. Yüksek frekans ve düşük güçlü devrelerde, ses frekansı (AF) amplifikasyon ve hızlı anahtarlama işlevlerine uygun olup endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok