Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX5316H6327XTSA1
TRANSISTOR AF SOT89-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- BCX5316
BCX5316H6327XTSA1 Hakkında
BCX5316H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile TO-243AA (SOT89-4) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1 A kollektör akımına, 125 MHz transition frequency'ye ve 80 V breakdown voltajına sahip olan bu bileşen, 2 W güç yönetimi kapasitesiyle orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen transistör, 100 @ 150mA, 2V nominal DC current gain (hFE) değerine ve 500mV saturation voltajına sahiptir. Düşük kolektör cutoff akımı (100nA ICBO) sayesinde sıfır sinyali performansı iyidir. Ses frekansı uygulamaları, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük sinyal amplifikasyon için uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok