Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX42E6433HTMA1
TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCX42
BCX42E6433HTMA1 Hakkında
BCX42E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 125V kolektor-emiter gerilimi ve 800mA kolektor akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde küçük sinyaller ve orta seviye akım amplifikasyonu gerektiren devrelerde uygulanır. Cep telefonları, pil şarj devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. Lojik seviyeleri kontrol etmek veya zayıf sinyalleri amplify etmek için kullanılan klasik bir PNP transistör çözümüdür. Not: Bu ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 125 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok