Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX19HZGT116
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR (AEC
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCX19
BCX19HZGT116 Hakkında
BCX19HZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı 100@100mA,1V koşullarında minimum 100 seviyesindedir. 200mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile gömülü sistemler, ses frekansı amplifikatörleri, darbe anahtarlama devreleri ve genel sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. AEC-Q200 yetkilendirmesi nedeniyle otomotiv endüstrisinde güvenilir bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 620mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok