Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCX17LT1G
TRANS PNP 45V 500MA SOT23-3
BCX17LT1G Hakkında
BCX17LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu komponent, 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir.
Transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerine sahip olup, satürasyon karakteristikleri VCE 620mV ile belirlenmiştir.
BCX17LT1G, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, ses ve görüntü işleme devreleri, güç kontrolü ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük paket boyutu sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerine sahip olup, satürasyon karakteristikleri VCE 620mV ile belirlenmiştir.
BCX17LT1G, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, ses ve görüntü işleme devreleri, güç kontrolü ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük paket boyutu sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 620mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok