Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW68HE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 800MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW68
BCW68HE6327HTSA1 Hakkında
BCW68HE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT23-3 (SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45V Vce darbeleniminde 800mA kolektör akımı ile çalışabilir. 200MHz transition frequency ve en az 250 hFE kazancı ile orta frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 330mW güç tüketim kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, sinyal değiştirme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. Küçük sinyal amplifikatörler, ses frekansı devreler ve düşük güçlü anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen statüsü yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok