Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW68GE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW68
BCW68GE6327HTSA1 Hakkında
BCW68GE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SOT-23 paketlemesinde sunulmaktadır. Maksimum 45V collector-emitter voltajı ve 800mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 330mW güç sınırlamasına sahiptir. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı aralığında stabil çalışır. Tüketici elektroniği, otomotiv kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok