Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW68FE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW68
BCW68FE6327HTSA1 Hakkında
BCW68FE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V kollektör-emitör gerilimi ve 800mA kollektör akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 200MHz geçiş frekansında çalışabilmektedir. 330mW maksimum güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmış olup, -40°C ile +150°C arasında stabil işletme sağlamaktadır. Düşük collector cutoff akımı (20nA) ve 700mV satürasyon gerilimi karakteristikleriyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilmektedir. Tüketici elektronikleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok