Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW67CE6327HTSA1

TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW67

BCW67CE6327HTSA1 Hakkında

BCW67CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 32V kollektör-emiter gerilimi ve 800mA kollektör akımı ile çalışabilir. 250'nin minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük sinyallerin kuvvetlendirilmesi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200MHz transition frequency ile analog ve dijital devre tasarımlarında sıkça tercih edilir. Maksimum 330mW güç dağıtım kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı sınırı ile orta ölçekli güç uygulamalarında kullanılabilir. Kollektör-emiter saturasyon gerilimi 700mV olup, anahtarlama hızı ve verimli performans gerektiren elektronik devrelerde tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok