Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW67BE6327HTSA1
TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW67
BCW67BE6327HTSA1 Hakkında
BCW67BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 32V kolektör-emitter gerilimi ve maksimum 800mA kolektör akımı ile çalışabilmektedir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında 330mW güç tüketebilir. Minimum 160 (hFE) DC akım kazancı ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, anahtar (switching) uygulamalarında ve genel amaçlı analog devrelerde kullanılır. Küçük boyutlu paketi sayesinde kompakt tasarımlar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok