Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW66KHE6327HTSA1
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW66
BCW66KHE6327HTSA1 Hakkında
BCW66KHE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Surface Mount NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236-3) paket türünde sunulmaktadır. 45V kollektör-emitter voltajı ve 800mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 170MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 1V Vce ve 100mA akımda minimum 250 değerine sahiptir. Kollektör kesme akımı maksimum 20nA, doyum gerilimi maksimum 450mV (50mA taban, 500mA kollektör akımında) belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışan sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol, tüketici elektronikleri ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok