Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW66KHB6327HTLA1
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW66
BCW66KHB6327HTLA1 Hakkında
BCW66KHB6327HTLA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 170MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sınırlı güç bütçesi olan devrelerde tercih edilebilir. Kolektör-emiter doyum gerilimi 450mV (50mA/500mA koşullarında) olup, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. RF ve dijital devre tasarımlarında sinyal işleme, darbe sürücüleri ve gerilim regülatörleri gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok