Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW66KFE6327HTSA1

TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW66

BCW66KFE6327HTSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BCW66KFE6327HTSA1, Surface Mount teknolojisi ile üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45V kolektör-emiter gerilimi ve 800mA kolektör akımı kapasitesiyle çalışır. 170MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç disipasyonu ve 100 @ 100mA, 1V koşullarında ölçülen 100 minimum DC akım kazancı ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C operating temperature aralığında çalışabilir. Düşük güçlü sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok