Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW66KE6359HTMA1
TRANSISTOR AF SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW66KE
BCW66KE6359HTMA1 Hakkında
BCW66KE6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, AF (audio frequency) uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum kollektör akımı 800mA, 170MHz transition frequency ve 45V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 500mW güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Ses amplifikasyon devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve genel sinyal işleme devrelerinde yer bulur. Düşük ICBO cutoff akımı (20nA max) ve 450mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok