Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW66GLT3G

TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW66

BCW66GLT3G Hakkında

BCW66GLT3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hız anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç seviyesi elektronik devrelerde kullanılır. 100 MHz transition frequency ile sağlanan hızlı anahtarlama özelliği, frekans ayarlanabilir uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketi ile PCB tasarımında yer ekonomisi sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 300mW maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok