Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW66G

BCW66

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW66

BCW66G Hakkında

BCW66G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1A collector akımı ve 100MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarına uygundur. 45V collector-emitter kırılma gerilimi ve 350mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük sinyal işleme, ses amplifikasyon, darbe şekillendirme ve lojik seviye uyumlaştırma devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanımını mümkün kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok