Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW61C
T-PNP SI- GEN PUR
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW61C
BCW61C Hakkında
BCW61C, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi silisiyum bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı uygulamalar için tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 250mW maksimum güç dağılımı ve 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 32V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 550mV doyum voltajı ile düşük sinyalli devrelerde, ses sinyali işleme, saat devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok