Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW60FNE6393HTSA1
TRANSISTOR AF SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW60
BCW60FNE6393HTSA1 Hakkında
BCW60FNE6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. SOT23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu komponent, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ile RF ve yüksek frekans devrelerde çalışmaya uygundur. 100mA maksimum kolektör akımı ve 380 minimum DC akım kazancı ile orta seviye akım uygulamalarında tercih edilir. Audio ön aşaması, sinyal işleme, genel amaçlı amplifikasyon ve dijital lojik sürücülük gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 32V VCEO diyelectric dayanımı ve 150°C işletme sıcaklığı ile geniş çalışma aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok