Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW60FFE6327HTSA1
TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW60
BCW60FFE6327HTSA1 Hakkında
BCW60FFE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun bir bileşendir. SOT23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketine sahip olup kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. 250 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güvenilir amplifikasyon sağlar. Ses frekans amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Maksimum 330mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Not: Bu parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok