Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW60DE6327HTSA1
TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW60
BCW60DE6327HTSA1 Hakkında
BCW60DE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, küçük işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 32V maksimum Vce derecelendirilmesi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 380 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, düşük güç tüketimli devreler için uygundur. 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paket format, kompakt PCB tasarımlarında kullanılmaya müsaittir. Maksimum 330mW güç dağıtımı kapasitesi bulunan komponent, ses amplifikatörleri, lojik seviyeleri değiştirme, sinyal çoğaltma ve düşük güç RF uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. Cihazın 150°C maksimum çalışma sıcaklığı geniş endüstriyel uygulamaları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok