Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW60CE6327HTSA1
TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW60
BCW60CE6327HTSA1 Hakkında
BCW60CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 32V kesim gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 550mV doyum gerilimi ve 250 minimum hFE değeri ile sinyal amplifikasyonu ve dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. Maximum 330mW güç tüketimi ile düşük güçlü devreler için uygundur. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok