Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW60BE6327HTSA1
TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW60
BCW60BE6327HTSA1 Hakkında
BCW60BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 32V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. Minimum 180 DC akım kazancı (hFE) sayesinde kontrollü amplifikasyon sağlar. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır. Düşük akım (100mA), düşük gerilim (32V) ve kompakt boyutası nedeniyle sinyal işleme, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok