Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW60B

TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW60B

BCW60B Hakkında

BCW60B, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 32V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 125MHz transition frequency özelliği ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 550mV maksimum doygunluk gerilimi ile logik seviyeleri, sinyal işleme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 350mW maksimum güç harcaması ile düşük güç tüketimli tasarımlar için uygundur. Lütfen kullanım sırasında güncel datasheet belgesini referans alınız.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok