Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW33LT1G
TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
BCW33LT1G Hakkında
BCW33LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maksimum kolektör akımı 100 mA, kolektör-emiter gerilimi 32 V olan bu transistör, 300 mW güç tüketimine kadar tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 2 mA, 5 V şartlarında minimum 420 değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devre uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı transistör işlevleri için kullanılır. Rendrez kontrol, dijital mantık arabirimleri ve düşük güçlü RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok