Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW32,215
TRANS NPN 32V 100MA TO236AB
BCW32,215 Hakkında
BCW32,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük gücü uygulamalar için tasarlanmıştır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi, 100mA maksimum collector akımı ve 100MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 200 minimum DC current gain (hFE @ 2mA, 5V) ve 210mV maksimum saturation gerilimi ile karakterize edilir. 250mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı olan bu bileşen, taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği, sensör arayüzleri ve düşük sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir ve active durumdaki parçalar hızlı tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok