Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCW32,215

NEXPERIA BCW32 - SMALL SIGNAL BI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCW32

BCW32,215 Hakkında

BCW32,215, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi küçük sinyal bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 100 mA kollektör akımına, 32V yıkılma gerilimi ve 100 MHz geçiş frekansına sahiptir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 2mA/5V koşullarında çalışır. Maksimum 250 mW güç tüketimine ve 150°C işletme sıcaklığına dayanır. Uydu haberleşmesi, RF amplifikatörleri, genel amaçlı küçük sinyal uygulamaları, ses frekansı yükselteciler ve düşük gürültülü ön uçlar için kullanılabilir. Doyum gerilimi 210mV olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok