Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW30LT1G
TRANS PNP 32V 100MA SOT23-3
BCW30LT1G Hakkında
BCW30LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montajlı paket içerisinde gelen bu transistör, 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 215 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300mV saturation gerilimi, düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde etkili çalışmasını sağlar. -65°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında, portable elektronik cihazlar, ses amplifikatörleri, inverter kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300mW güç yönetimi kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 215 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok