Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW 66H E6327
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW 66H
BCW 66H E6327 Hakkında
BCW 66H E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketi ile sağlanan bu bileşen, 45V kolektör-emitter gerilimi ve 800mA maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 170MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 250 minimum DC akım kazancı ve düşük doyma gerilimi (450mV) özellikleri sayesinde, ses amplifikasyonu, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve orta güç uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 330mW güç tüketimiyle tasarlanmıştır. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok