Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW 66G E6327
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW66G
BCW 66G E6327 Hakkında
BCW 66G E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V Vce ile çalışabilir ve 800mA'e kadar collector akımını yönetir. 170MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mA'de 160 minimum hFE akım kazancı ve 330mW maksimum güç yayılımı kapasitesi sayesinde genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Audio amplifikatörleri, low-power switching devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. Entegre yapılar ve düşük güçlü elektronik tasarımlarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok