Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCW 66F E6327
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCW 66F
BCW 66F E6327 Hakkında
BCW 66F E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 45V maksimum Vce değeri ve 800mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. 170MHz transition frequency ile düşük-orta frekanslı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, genel amaçlı sinyalleme, ses frekansı amplifikasyonu ve DC anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Minimum 100 hFE DC current gain değeri ile orta kazanç karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok