Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR583E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR583
BCR583E6327HTSA1 Hakkında
BCR583E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) kılıfında sunulan bu komponent, 500 mA maksimum collector akımı ve 330 mW güç yeteneğine sahiptir. Entegre temel dirençler (R1: 10 kΩ, R2: 10 kΩ) ile doğrudan kullanıma hazırdır. 150 MHz transition frekansı ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE @ 50mA, 5V) ile karakterize edilir. 50V maksimum breakdown voltajı ve 300mV Vce doyum voltajı bulunmaktadır. Sinyal amplifikasyonu, switching uygulamaları ve gürültü kaldırma devreleri gibi genel amaçlı küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. Yüksek integrasyon seviyesi ve kompakt tasarımı, düşük güçlü taşınabilir elektronik cihazlar ve kontrol devreleri için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok